RGT40NL65DGTL Technische Spezifikationen

FIELD STOP TRENCH IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 58ns
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Test Condition 400V, 20A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 204 ns
Gate Charge 40nC
Td (on/off) @ 25°C 22ns/75ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection COLLECTOR
Power - Max 161W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 51 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 20A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
RGT40NS65DGC9 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
RGT40NS65DGTL LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2638
RGT40NS65DGTL ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
RGT40TM65DGC9 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs
RGT40TS65D LAPIS Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 4
RGT40TS65DG ROHM Spezialisierte heiße ICs 677
RGT40TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2727
RGT40TS65DGC11 ROHM Semiconductor Einzelne IGBTs

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