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RGW60TS65GC11 Technische Spezifikationen

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 480µJ (on), 490µJ (off)
Power - Max 178W
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 650V 60A 178W Through Hole TO-247N
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 37ns/114ns
Supplier Device Package TO-247N
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 15 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 84nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
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RGW60TS65GC11 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, RGW60TS65GC11 Referenzpreis. RGW60TS65GC11 Parameter, RGW60TS65GC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RGW60TS65GC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RGW60TS65GC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RGW60TS65GC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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