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RGW60TK65GVC11 Technische Spezifikationen

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-3PFM, SC-93-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 480μJ (on), 490μJ (off)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Case Connection ISOLATED
Power - Max 72W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector (Ic) (Max) 33A
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 209 ns
Gate Charge 84nC
Td (on/off) @ 25°C 37ns/114ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGW60TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 2799
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RGW60TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 0
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RGW60TK65GVC11 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, RGW60TK65GVC11 Referenzpreis. RGW60TK65GVC11 Parameter, RGW60TK65GVC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden RGW60TK65GVC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden RGW60TK65GVC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, RGW60TK65GVC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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