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RJU002N06FRAT106 Technische Spezifikationen

2.5V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPON

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package UMT3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names RJU002N06FRAT106TR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 10 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
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RJU002N05 T106 ROHM Spezialisierte heiße ICs 66000
RJU002N06 ROHM Spezialisierte heiße ICs 148494
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RJU002N06T106 LAPIS Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 333870
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