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RJU002N06T106 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 18pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package UMT3
Power Dissipation (Max) 200mW (Ta)
Package / Case SC-70, SOT-323
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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