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RTQ035N03TR Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 285pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.5A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) 12V
Supplier Device Package TSMT6 (SC-95)
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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RTQ030P02 VISHAY Spezialisierte heiße ICs 5577
RTQ030P02 TR ROHM Spezialisierte heiße ICs 3859
RTQ030P02FRA ROHM Spezialisierte heiße ICs 10100
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RTQ030P02TR ROHM Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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RTQ035N03 ROHM Spezialisierte heiße ICs 121012
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