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SCT3080KLGC11 Technische Spezifikationen

MOSFET NCH 1.2KV 31A TO247N

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 5mA
Technology SiCFET (Silicon Carbide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 104 mOhm @ 10A, 18V
Packaging Tube
Operating Temperature 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 800V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 31A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) +22V, -4V
Supplier Device Package TO-247N
Power Dissipation (Max) 165W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 18V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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SCT3080KLGC11 Markenhersteller: LAPIS Semiconductor, Bonchip Aktie, SCT3080KLGC11 Referenzpreis. SCT3080KLGC11 Parameter, SCT3080KLGC11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden SCT3080KLGC11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden SCT3080KLGC11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, SCT3080KLGC11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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