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UMG4NTR
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UMG4NTR Technische Spezifikationen
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet |
Manufacturer | LAPIS Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 150mW |
Package / Case | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | - |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA |
Supplier Device Package | UMT5 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
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Datenblätter
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Andere schließen ein "UMG4N" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'UMG4N'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
UMG4N | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 9240 |
UMG4N TR | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 2725 |
UMG4N-7 | Diodes Incorporated | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Vorbelastet | 5615 |
UMG4NTR | ROHM Semiconductor | BJT-Transistor-Arrays |
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