DS1265AB-70IND+ Technische Spezifikationen

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Erinnerung
Manufacturer Maxim Integrated
Factory Lead Time 3 Weeks
Write Cycle Time - Word, Page 70ns
Technology NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 85°C (TA)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Memory Size 8Mb (1M x 8)
Memory Format NVSRAM
Detailed Description NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 8Mb (1M x 8) Parallel 70ns 36-EDIP
Access Time 70ns
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Supply 4.75 V ~ 5.25 V
Supplier Device Package 36-EDIP
Package / Case 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type Through Hole
Memory Type Non-Volatile
Memory Interface Parallel
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Base Part Number DS1265AB
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DS1260-100 Maxim Integrated Speicherbatterien 2870
DS1260-25 Maxim Integrated Speicherbatterien 656
DS1260-50 Maxim Integrated Speicherbatterien 2521
DS1262S DALLAS Spezialisierte heiße ICs 4599
DS1265AB-100 Maxim Integrated Erinnerung 2787
DS1265AB-100+ Maxim Integrated Erinnerung 2503
DS1265AB-70 Maxim Integrated Erinnerung 2728
DS1265AB-70+ Maxim Integrated Erinnerung 2700
DS1265AB-70IND Maxim Integrated Erinnerung 2523
DS1265W-100 Maxim Integrated Erinnerung 2779

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