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TN5325N3-G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Bulk
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH INPUT IMPEDANCE, LOW THRESHOLD
Terminal Position BOTTOM
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 740mW
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Length 5.21mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Weight 453.59237mg
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 740mW Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 215mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 215mA
Drain-source On Resistance-Max 7Ohm
Height 5.33mm
Width 4.19mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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