TN5325N8-G Technische Spezifikationen

MOSFET 250V 7Ohm

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Microchip Technology
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature FAST SWITCHING
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Qualification Status Not Qualified
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 1.6W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 316mA Tj
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) 316mA
Drain-source On Resistance-Max 250Ohm
Height 1.6mm
Width 2.6mm
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-243AA
Weight 52.786812mg
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Min Operating Temperature -55°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1.6W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 Ω @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 110pF @ 25V
Rise Time 15ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Length 4.6mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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