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APT10M11B2VFRG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) 520W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 450nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT1001R1BN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 642
APT1001R2HN APT Spezialisierte heiße ICs 2982
APT1001R3BN APT Spezialisierte heiße ICs 6948
APT1001R6BN APT Spezialisierte heiße ICs 2845
APT1001RBLC APT Spezialisierte heiße ICs 2879
APT1001RBN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12388
APT1001RBNR IXYS Spezialisierte heiße ICs 2686
APT1001RBVFR APTMICROSEMI Spezialisierte heiße ICs 2360
APT1001RBVFRG APT Spezialisierte heiße ICs 2464
APT1001RBVR APT Spezialisierte heiße ICs 19

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