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APT200GT60JR Technische Spezifikationen

IGBT 600V 195A ISOTOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Supplier Device Package SOT-227
Power - Max 500W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 25µA
Configuration Single
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 200A
Series Thunderbolt IGBT®
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce 8.65nF @ 25V
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 195A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT200GH60J APT IGBT-Module 2715
APT200GN60B2G Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2794
APT200GN60B2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT200GN60J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2936
APT200GN60J Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 1431
APT200GN60JDQ4 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JDQ4G Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2697
APT200GN60JDQ4G Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JG Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2632

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