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APT20GT60BRDQ1G Technische Spezifikationen

IGBT 600V 43A 174W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 215µJ (on), 245µJ (off)
Series Thunderbolt IGBT®
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector (Ic) (Max) 43A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 8ns/80ns
Supplier Device Package TO-247 [B]
Power - Max 174W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT200GH60J APT IGBT-Module 2715
APT200GN60B2G Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2794
APT200GN60B2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT200GN60J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2936
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APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 1431
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