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APT20M38SVRG Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 67A D3PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS V®
Power Dissipation (Max) 370W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D3 [S]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6120pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 67A (Tc)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT200GH60J APT IGBT-Module 2715
APT200GN60B2G Microsemi Transistoren - IGBTs - Einzel 2794
APT200GN60B2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT200GN60J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2936
APT200GN60J Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 1431
APT200GN60JDQ4 Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JDQ4G Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2697
APT200GN60JDQ4G Microsemi Corporation IGBT-Module
APT200GN60JG Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2632

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