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APT56F50B2 Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 500V 56A TO-247
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | POWER MOS 8™ |
Power Dissipation (Max) | 780W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 28A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8800pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Tc) |
APT56F50B2 Unterlagen
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'APT56'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT564-227-1334 | APT | Spezialisierte heiße ICs | 2876 |
APT56F50L | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2798 |
APT56F60B2 | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2787 |
APT56F60B2 94N65 MOS | Microsemi | Spezialisierte heiße ICs | 1267 |
APT56F60L | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2603 |
APT56H50J | MICROSEMI | IGBT-Module | 2809 |
APT56M50B2 | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2745 |
APT56M50B2 | Microsemi Corporation | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
APT56M50L | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2896 |
APT56M60B2 | Microsemi | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2947 |
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