APT56F60B2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Supplier Device Package T-MAX™ [B2]
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 28A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series POWER MOS 8™
Power Dissipation (Max) 1040W (Tc)
Package / Case TO-247-3 Variant
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 280nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 60A (Tc)
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