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APTMC120AM55CT1AG Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 40A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 1000V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP1
Power - Max 250W
Package / Case SP1
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98nC @ 20V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 55A
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