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APTMC120AM09CT3AG Technische Spezifikationen

MOSFET 2N-CH 1200V 295A SP3F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 40mA (Typ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 200A, 20V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 1000V
FET Type 2 N Channel (Phase Leg)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Power - Max 1250W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 644nC @ 20V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 295A
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