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DME500 Technische Spezifikationen
TRANS RF BIPO 1700W 40A 55KT1
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55V |
Supplier Device Package | 55KT |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | 200°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Frequency - Transition | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 1700W |
Package / Case | 55KT |
Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
Gain | 6dB ~ 6.5dB |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 500mA, 5V |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'DME50'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DME500 | Microsemi Corporation | RF-BJT-Transistoren | |
DME501010R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2733 |
DME501010R | Panasonic Electronic Components | Arrays BJT-Transistoren | |
DME505010R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2715 |
DME505010R | Panasonic Electronic Components | Arrays BJT-Transistoren | |
DME50B010R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2517 |
DME50B010R | Panasonic Electronic Components | Arrays BJT-Transistoren | |
DME50C010R | Panasonic | Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | 2768 |
DME50C010R | Panasonic Electronic Components | Arrays BJT-Transistoren |
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