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DME500 Technische Spezifikationen

TRANS RF BIPO 1700W 40A 55KT1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 55V
Supplier Device Package 55KT
Packaging Bulk
Operating Temperature 200°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 1.025GHz ~ 1.15GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1700W
Package / Case 55KT
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 6dB ~ 6.5dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 500mA, 5V
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