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JANS2N3810L/TR Technische Spezifikationen

BJTS

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 PNP (Dual)
Series Military, MIL-PRF-19500/336
Package / Case TO-78-6 Metal Can
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package TO-78
Power - Max 350mW
Other Names JANS2N3810L/TRMS
Mounting Type Through Hole
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Through Hole TO-78
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANS2N2221AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2530
JANS2N2222A Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2741
JANS2N2222AUB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 1109
JANS2N2222AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2749
JANS2N2369AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
JANS2N2369AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
JANS2N2369AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2544
JANS2N2484UB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 895
JANS2N2857UB-LC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2717
JANS2N2857UB-LC Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren

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JANS2N3810L/TR Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, JANS2N3810L/TR Referenzpreis. JANS2N3810L/TR Parameter, JANS2N3810L/TR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden JANS2N3810L/TR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden JANS2N3810L/TR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, JANS2N3810L/TR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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