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JANSR2N3700UB Technische Spezifikationen

RH SMALL-SIGNAL BJT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type NPN
Series Military, MIL-PRF-19500/391
Power - Max 500mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Manufacturer Standard Lead Time 33 Weeks
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 500mW Surface Mount UB
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package UB
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case 4-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 500mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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JANSR2N2222AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
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JANSR2N2907AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
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