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JANSR2N2920U Technische Spezifikationen

RH SMALL-SIGNAL BJT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Series Military, MIL-PRF-19500/355
Power - Max 350mW
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 100µA, 1mA
Supplier Device Package 6-SMD
RoHS Status RoHS non-compliant
Package / Case 6-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Surface Mount 6-SMD
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
JANSR2N2221AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2781
JANSR2N2222AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
JANSR2N2222AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
JANSR2N2369AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2788
JANSR2N2484UB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2612
JANSR2N2907AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2719
JANSR2N2907AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
JANSR2N2920U Microsemi Corporation Arrays BJT-Transistoren
JANSR2N3440 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2701
JANSR2N3501U4 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2783

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