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2A8 Technische Spezifikationen

TRANS RF BIPO 5.3W 300MA 55EU2

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 21V
Supplier Device Package 55EU
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Frequency - Transition 2GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 5.3W
Package / Case 55EU
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain 7dB ~ 9dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V
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