2N3013 Technische Spezifikationen

NPN HS MED PWR SWITCH

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V
Transistor Type NPN
Power - Max 360mW
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 200mA 350MHz 360mW Through Hole TO-18
Current - Collector Cutoff (Max) 300nA
Base Part Number 2N3013
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 30mA, 300mA
Supplier Device Package TO-18
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 350MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 30mA, 400mV
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N3013 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 806
2N3014 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2668
2N3019 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 640
2N3019 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2958
2N3019 STMicroelectronics Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2878
2N3019 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3015
2N3019 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2395
2N3019 PBFREE Central Semiconductor Corp Einzelne BJT-Transistoren
2N3019A ST Spezialisierte heiße ICs 2793
2N3019S Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3200

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