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2N3866A Technische Spezifikationen

TRANS RF NPN 1W 400MA TO39

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Supplier Device Package TO-39
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Mounting Type Through Hole
Frequency - Transition 400MHz
Current - Collector (Ic) (Max) 400mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Noise Figure (dB Typ @ f) -
Gain -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 50mA, 5V
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
2N3860 CEN Spezialisierte heiße ICs 684
2N3866 Central Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 7561
2N3866 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 7561
2N3866 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N3866 PBFREE Central Semiconductor Corp RF-BJT-Transistoren
2N3866 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp RF-BJT-Transistoren
2N3866 TRAY Central Semiconductor Corp RF-BJT-Transistoren
2N3866A Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren
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2N3866A TIN/LEAD Central Semiconductor Corp RF-BJT-Transistoren

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