2N5682 Technische Spezifikationen

NPN 120V 1A 10W /2N5680 COMPLMT

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 1A 1W Through Hole TO-39
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
Base Part Number 2N5682
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-39
Packaging Bulk
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 250mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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2N5680 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 427
2N5680 ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
2N5680 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N5681 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2537
2N5681 Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
2N5682 F/MOT Spezialisierte heiße ICs 2638
2N5683 Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2722
2N5684 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2738
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