APT100GLQ65JU3 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 100A 430W ISOTOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / IGBT-Module
Manufacturer Microsemi Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Lifecycle Status IN PRODUCTION (Last Updated: 2 months ago)
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Published 2012
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 430W
Current - Collector Cutoff (Max) 50μA
Current - Collector (Ic) (Max) 165A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55°C~175°C
Part Status Active
Configuration Single Chopper
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 1000A
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
APT1001R1BN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 642
APT1001R2HN APT Spezialisierte heiße ICs 2982
APT1001R3BN APT Spezialisierte heiße ICs 6948
APT1001R6BN APT Spezialisierte heiße ICs 2845
APT1001RBLC APT Spezialisierte heiße ICs 2879
APT1001RBN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12388
APT1001RBNR IXYS Spezialisierte heiße ICs 2686
APT1001RBVFR APTMICROSEMI Spezialisierte heiße ICs 2360
APT1001RBVFRG APT Spezialisierte heiße ICs 2464
APT1001RBVR APT Spezialisierte heiße ICs 19

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