APT10SCD65KCT Technische Spezifikationen

DIODE SILICON 650V 17A TO220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Einzeln
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A
Supplier Device Package TO-220 [K]
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Package / Case TO-220-2
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 200µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified (Io) 17A
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APT1001R1BN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 642
APT1001R2HN APT Spezialisierte heiße ICs 2982
APT1001R3BN APT Spezialisierte heiße ICs 6948
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APT1001RBLC APT Spezialisierte heiße ICs 2879
APT1001RBN Microsemi Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 12388
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