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APT150GN60B2G Technische Spezifikationen
IGBT 600V 220A 536W SOT227
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
Switching Energy | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 970nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 220A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
Td (on/off) @ 25°C | 44ns/430ns |
Power - Max | 536W |
Package / Case | TO-247-3 Variant |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 450A |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT150GN120J | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2267 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 1405 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | Einzelne IGBTs | |
APT150GN60J | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2925 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 1410 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN60LDQ40 | APT | Spezialisierte heiße ICs | 15 |
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APT150GN60B2G Markenhersteller: Microsemi, Bonchip Aktie, APT150GN60B2G Referenzpreis. APT150GN60B2G Parameter, APT150GN60B2G Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden APT150GN60B2G Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden APT150GN60B2G Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, APT150GN60B2G Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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