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APT15GN120KG Technische Spezifikationen
IGBT 1200V 45A 195W TO220
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | 800V, 15A, 4.3 Ohm, 15V |
Switching Energy | 410µJ (on), 950µJ (off) |
Series | POWER MOS 7® |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 90nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 45A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 15A |
Td (on/off) @ 25°C | 10ns/150ns |
Supplier Device Package | TO-220 [K] |
Power - Max | 195W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 45A |
APT15GN120KG Unterlagen
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
APT150GN120J | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2267 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 1405 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN60B2G | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2505 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | Einzelne IGBTs | |
APT150GN60J | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 2925 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT-Module | |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi | Transistoren - IGBTs - Module | 1410 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT-Module |
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