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APT20GN60BDQ1G Technische Spezifikationen

IGBT 600V 40A 136W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 20A, 4.3 Ohm, 15V
Switching Energy 230µJ (on), 580µJ (off)
Power - Max 136W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C 9ns/140ns
Supplier Device Package TO-247 [B]
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 120nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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APT200GN60B2G Microsemi Corporation Einzelne IGBTs
APT200GN60J Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 2936
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APT200GN60JDQ4 Microsemi Transistoren - IGBTs - Module 1431
APT200GN60JDQ4 Microsemi Corporation IGBT-Module
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APT200GN60JDQ4G Microsemi Corporation IGBT-Module
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