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BDW93A-S Technische Spezifikationen
TRANS NPN DARL 60V 12A
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | Bourns, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 2W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 750 @ 5A, 3V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 12A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 100mA, 10A |
Supplier Device Package | TO-220 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BDW93 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 1114 |
BDW93 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 7336 |
BDW93 | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDW93 | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDW93-S | Bourns, Inc. | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2658 |
BDW93A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2665 |
BDW93A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2581 |
BDW93A-S | Bourns Inc. | Einzelne BJT-Transistoren | |
BDW93B | ST | Spezialisierte heiße ICs | 2280 |
BDW93B-S | Bourns, Inc. | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel | 2730 |
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