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BUL642D2G Technische Spezifikationen
TRANS NPN 440V 3A TO-220AB
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 440V |
Transistor Type | NPN |
Power - Max | 75W |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 16 @ 500mA, 1V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 3A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 200mA, 2A |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 13MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
BUL642D2G | Rochester Electronics, LLC | Einzelne BJT-Transistoren | |
BUL642D2G | ON Semiconductor | Einzelne BJT-Transistoren |
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