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DRA5114T0L Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer Panasonic
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 150mW
Package / Case SC-85
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SMini3-F2-B
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DRA5113Z0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 24000
DRA5113Z0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA5113Z0L , MAX6386XS23D3 PANASONIC/MAXIM Spezialisierte heiße ICs 2000
DRA5114E0L Panasonic Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12454
DRA5114E0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA5114EOL PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 285
DRA5114T0L Panasonic Electronic Components Vorbelastete BJT-Transistoren
DRA5114T0L , MAX6702AZKA PANASONIC/MAXIM Spezialisierte heiße ICs 24000
DRA5114TOL PANANSONI Spezialisierte heiße ICs 12215
DRA5114V0L PANASONIC Spezialisierte heiße ICs 30471

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