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DTD113ES Technische Spezifikationen

DTD113ES ROHM

Produkteigenschaft Attributwert
Category Integrierte Schaltkreise (ICs) / Spezialisierte heiße ICs
Manufacturer ROHM
Factory Lead Time 3 Weeks
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
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DTD113ES Unterlagen

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  • Datenblätter

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Die folgenden Teile umfassen  'DTD11' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
DTD113ECHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2561
DTD113ECHZGT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113ECT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2500
DTD113ECT116 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EK ROHM Spezialisierte heiße ICs 1133
DTD113EK T146 ROHM Spezialisierte heiße ICs 39000
DTD113EKFRAT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113EKT146 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 12204
DTD113EKT146 ROHM Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
DTD113ZCHZGT116 LAPIS Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2683

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