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DTD113ECHZGT116
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DTD113ECHZGT116 Technische Spezifikationen
500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR (WI
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Vorbelastete BJT-Transistoren |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 200mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1.0 |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased + Diode |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Resistor - Base (R1) | 1 k Ω |
Collector-Emitter Voltage-Max | 50V |
DTD113ECHZGT116 Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für DTD113ECHZGT116
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Datenblätter
Andere schließen ein "DTD11" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'DTD11'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
DTD113ECHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2561 |
DTD113ECT116 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2500 |
DTD113ECT116 | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTD113EK | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 1133 |
DTD113EK T146 | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 39000 |
DTD113EKFRAT146 | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTD113EKT146 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 12204 |
DTD113EKT146 | ROHM Semiconductor | Vorbelastete BJT-Transistoren | |
DTD113ES | ROHM | Spezialisierte heiße ICs | 7200 |
DTD113ZCHZGT116 | LAPIS Semiconductor | Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet | 2683 |
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DTD113ECHZGT116 Markenhersteller: ROHM Semiconductor, Bonchip Aktie, DTD113ECHZGT116 Referenzpreis. DTD113ECHZGT116 Parameter, DTD113ECHZGT116 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden DTD113ECHZGT116 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden DTD113ECHZGT116 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, DTD113ECHZGT116 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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