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F1235R12KT4GBOSA1
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F1235R12KT4GBOSA1 Technische Spezifikationen
IGBT F1235R12KT4GBOSA1
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | Module |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Input | Standard |
Detailed Description | IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 35A 210W Chassis Mount Module |
Current - Collector (Ic) (Max) | 35A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 35A |
Power - Max | 210W |
Other Names | F12-35R12KT4G F12-35R12KT4G-ND SP000415318 |
NTC Thermistor | No |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2nF @ 25V |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Configuration | Single |
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Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
F1235R12KT4GBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT-Module | |
F1235R12KT4GBOSA1 | Rochester Electronics, LLC | IGBT-Module |
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