FQN1N50CBU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 380MA TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 190mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 380mA (Tc)
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FQN1N50C VB Spezialisierte heiße ICs 5000
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FQN1N60C F Spezialisierte heiße ICs 5000
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