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HCT802 Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Optek Technology / TT Electronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5 Ohm @ 1A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70pF @ 25V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 90V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 6-SMD
Power - Max 500mW
Package / Case 6-SMD, No Lead
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A, 1.1A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HCT80101EAL-E Bourns, Inc. Impulstransformatoren
HCT802 TT Electronics/Optek Technology MOSFETs Transistor Arrays
HCT802TX Optek Technology / TT Electronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2511
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology MOSFETs Transistor Arrays
HCT802TXV Optek Technology / TT Electronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays 2582
HCT802TXV TT Electronics/Optek Technology MOSFETs Transistor Arrays

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