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IXFK21N100F Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS RF
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerRF™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 14 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 1000V 21A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264 (IXFK)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-264 (IXFK)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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