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IXGQ35N120BD1 Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 75A 400W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 35A, 3 Ohm, 15V
Switching Energy 900µJ (on), 3.8mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 140nC
Current - Collector (Ic) (Max) 75A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
Td (on/off) @ 25°C 40ns/270ns
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 400W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IXGQ30N60C2D4 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Einzel 2659
IXGQ30N60C2D4 IXYS Einzelne IGBTs
IXGQ320N33TB IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 12
IXGQ320N33TC IXYS Corporation Spezialisierte heiße ICs 9
IXGQ35N120BD1 IXYS Einzelne IGBTs

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