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IXGT30N120BD1 Technische Spezifikationen
IGBT 1200V TO268
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Test Condition | - |
Switching Energy | - |
Power - Max | - |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector (Ic) (Max) | - |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Td (on/off) @ 25°C | - |
Supplier Device Package | TO-268 |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | - |
Input Type | Standard |
Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
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-
Datenblätter
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Die folgenden Teile umfassen 'IXGT3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IXGT30N120B3D1 | IXYS Corporation | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2557 |
IXGT30N120B3D1 | IXYS | Einzelne IGBTs | |
IXGT30N120BD1 | IXYS | Einzelne IGBTs | |
IXGT30N60B | IXYS Corporation | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2708 |
IXGT30N60B | IXYS | Einzelne IGBTs | |
IXGT30N60B2 | IXYS Corporation | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2758 |
IXGT30N60B2 | IXYS | Einzelne IGBTs | |
IXGT30N60B2D1 | IXYS Corporation | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2642 |
IXGT30N60B2D1 | IXYS | Einzelne IGBTs | |
IXGT30N60C2 | IXYS Corporation | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2799 |
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IXGT30N120BD1 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXGT30N120BD1 Referenzpreis. IXGT30N120BD1 Parameter, IXGT30N120BD1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXGT30N120BD1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXGT30N120BD1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXGT30N120BD1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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