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IXSQ20N60B2D1 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 35A 190W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition -
Switching Energy 380µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 30ns
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 33nC
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 16A
Td (on/off) @ 25°C 30ns/116ns
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 190W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type PT
Current - Collector Pulsed (Icm) -
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IXSQ20N60B2D1 IXYS Einzelne IGBTs

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IXSQ20N60B2D1 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, IXSQ20N60B2D1 Referenzpreis. IXSQ20N60B2D1 Parameter, IXSQ20N60B2D1 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IXSQ20N60B2D1 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IXSQ20N60B2D1 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IXSQ20N60B2D1 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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