IXTX90N25L2 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 90A PLUS247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 3mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Linear L2™
Power Dissipation (Max) 960W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 640nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 45A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 23000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 90A (Tc)
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IXTX90N25L2 IXYS Einzelne MOSFET-Transistoren
IXTX90P20P IXYS Corporation Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2519

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