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JANS2N3867 Technische Spezifikationen

TRANS PNP 40V 3A TO-5

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP
Series Military, MIL-PRF-19500/350
Packaging Bulk
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 250mA, 2.5A
Supplier Device Package TO-5
Power - Max 1W
Package / Case TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 1.5A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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JANS2N2222AUB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 1109
JANS2N2222AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2749
JANS2N2369AUB Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
JANS2N2369AUB Microsemi Corporation Einzelne BJT-Transistoren
JANS2N2369AUBC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2544
JANS2N2484UB Microsemi Spezialisierte heiße ICs 895
JANS2N2857UB-LC Microsemi Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2717
JANS2N2857UB-LC Microsemi Corporation RF-BJT-Transistoren

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