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MIO1200-33E11 Technische Spezifikationen

IGBT MODULE SGL 1200A E11

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3300V
Supplier Device Package E11
Package / Case E11
NTC Thermistor No
Input Capacitance (Cies) @ Vce -
IGBT Type NPT
Current - Collector (Ic) (Max) 1200A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.1V @ 15V, 1200A
Power - Max -
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 120mA
Configuration Single Switch
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MIO1200-25E10 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2752
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MIO1200-33E10 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2722
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MIO1200-33E11 Markenhersteller: IXYS Corporation, Bonchip Aktie, MIO1200-33E11 Referenzpreis. MIO1200-33E11 Parameter, MIO1200-33E11 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MIO1200-33E11 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MIO1200-33E11 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MIO1200-33E11 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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