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MT3S111(TE85L,F) Technische Spezifikationen

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6V
Supplier Device Package S-Mini
Packaging Original-Reel®
Other Names MT3S111(TE85LF)DKR
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Frequency - Transition 11.5GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 30mA, 5V
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 700mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 12 Weeks
Gain 12dB
Detailed Description RF Transistor NPN 6V 100mA 11.5GHz 700mW Surface Mount S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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MT3S111(TE85L,F) Markenhersteller: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip Aktie, MT3S111(TE85L,F) Referenzpreis. MT3S111(TE85L,F) Parameter, MT3S111(TE85L,F) Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden MT3S111(TE85L,F) Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden MT3S111(TE85L,F) Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, MT3S111(TE85L,F) Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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