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MWI50-12E6K Technische Spezifikationen

MOD IGBT SIXPACK RBSOA 1200V E1

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E1
Package / Case E1
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 51A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 35A
Power - Max 210W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Current - Collector Cutoff (Max) 300µA
Configuration Three Phase Inverter
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
MWI50-06A7 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2729
MWI50-06A7 IXYS IGBT-Module
MWI50-06A7T IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2933
MWI50-06A7T IXYS IGBT-Module
MWI50-06AT7 IXYS IGBT-Module 2879
MWI50-12A7 IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2897
MWI50-12A7 IXYS IGBT-Module
MWI50-12A7T IXYS Corporation Transistoren - IGBTs - Module 2850
MWI50-12A7T IXYS IGBT-Module
MWI50-12E6K IXYS IGBT-Module

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